Связь и интернет Архив Программирование
Сотовые телефоны
Сотовые телефоны

Новости

Сотовые мобильные телефоныПолифонические мелодии для сотовых
Связь :
Новости
Мобильные технологии
Программы для сотовых
Картинки для сотовых
Новинки
Виды связи
Российские операторы
Сотовые телефоны
Мелодии для сотовых
Права потребителя мобильника
Это интересно!
Телефонные карты
Доска объявлений
Новости связи
Новые статьи

Интернет :
Новости
Новые технологии
Безопасность в интернет
История Интернета
Принцип работы Интернета
Создание сайта
Обучение Интернет
Право и Интернет
Интернет-бизнес
Техника в Интернет
Провайдеры России
Зарубежные провайдеры
Рейтинги почтовых служб
Литература
Словарь терминов
Гостевая
Партнеры
Голосование :
Ваша модель телефона:
Наиболее популярные модели :
Nokia 3310 271
Motorola v50 198
Siemens C45 139
Motorola T191 94
Siemens C55 93
Siemens ME45 87
Samsung SGH R220 82
Samsung SGH N500 79
Nokia 3510 74
Siemens M50 73
Поиск по сайту :
Новые статьи
Сотовые телефоны Новости
Связь :

Создан одномолекулярный элемент памяти

Создан одномолекулярный элемент памяти

Создан одномолекулярный элемент памятиВ канун 25-летия первого персонального компьютера IBM ученые компании создали одномолекулярный элемент перезаписываемой памяти, размер которого на два порядка меньше существующих.

Ученые исследовательской лаборатории компании IBM в Цюрихе показали, что органические молекулы могут, подобно полупроводниковым устройствам, иметь два устойчивых состояния, переводиться из одного в другое и сохранять его, что позволяет создать память принципиально нового типа.

В основе устройства, описанного в номере от 4 августа журнала Small Times - простое органическое соединение, сопротивление которого может меняться с большого на низкое и обратно под воздействием импульсов тока.

Эксперименты показали, что молекулярный элемент памяти надежно хранит записанную в него информацию в течение многих часов работы и после по крайней мере 500 циклов перезаписи, и к тому же отличается быстродействием - скорость переключения ниже 1 мс. Такие показатели характеризуются авторами как "удивительный результат для системы из одной молекулы".

"Сейчас мы сосредоточились на изучении связи между конструкцией молекулярной системы и ее измеряемыми электрическими характеристиками, - сказала доктор Хайке Риль (Heike Riel). - Следующим шагом станет изучение механизма, ответственного за переключение".

В основе системы лежит так называемая молекула BPDN-DT, синтезированная группой под руководством профессора Джеймса Тура (James Tour) и Университете Райса (г. Хьюстон, США).

Ее изначально предполагалось использовать для применения в этом и других подобных устройствах (в частности, на ее основе уже построен одномолекулярный транзистор). В настоящее время ведется активный поиск механизма, управляющего электрическими свойствами молекулы, а также возможных областей ее применения.

"Максимальная скорость переключения сильно зависит от механизма, используемого для переключения, - говорит г-жа Риль. - По крайней мере, время переключения не превышает 640 микросекунд, однако пока что мы не можем назвать верхний предел быстродействия". По ее словам, многие вопросы удастся прояснить, когда станет понятен принцип работы молекулы.

В ходе эксперимента молекула была помещена в зазор между двумя золотыми электродами, ширина которого регулировалась с субпикометровой точностью.
Выявленные свойства проявляются лишь при температуре, близкой к абсолютному нулю, однако некоторые признаки свидетельствуют, что переключение состояний молекулы и сохранение информации о них может происходить и при комнатной температуре - правда, при этом золото электродов становится гораздо мягче, начинает течь и спустя несколько циклов происходит короткое замыкание.

Молекула имеет длину около 1,5 нанометра, что на два порядка меньше существующих кремниевых элементов памяти. В настоящее время считается, что дальнейшая миниатюризация кремниевых элементов чипов станет экономически невыгодные послед достижения предела в 20 нанометров, в то время как физический предел миниатюризации кремниевой электроники - около 10 нм.

По мнению специалистов IBM, дальнейший прогресс в электронике станет возможным за счет создания молекулярных компьютеров, углеродных и полупроводниковых нанотрубок, а также спинтроники.
Источник Hi-tech Вести
 

 
Copyright ©RIN 2003 - 2004.* connect@rin.ru
Российская Информационна Сеть