Связь и интернет Архив Программирование
Сотовые телефоны
Сотовые телефоны

Новости

Сотовые мобильные телефоныПолифонические мелодии для сотовых
Связь :
Новости
Мобильные технологии
Программы для сотовых
Картинки для сотовых
Новинки
Виды связи
Российские операторы
Сотовые телефоны
Мелодии для сотовых
Права потребителя мобильника
Это интересно!
Телефонные карты
Доска объявлений
Новости связи
Новые статьи

Интернет :
Новости
Новые технологии
Безопасность в интернет
История Интернета
Принцип работы Интернета
Создание сайта
Обучение Интернет
Право и Интернет
Интернет-бизнес
Техника в Интернет
Провайдеры России
Зарубежные провайдеры
Рейтинги почтовых служб
Литература
Словарь терминов
Гостевая
Партнеры
Голосование :
Ваша модель телефона:
Наиболее популярные модели :
Nokia 3310 271
Motorola v50 198
Siemens C45 139
Motorola T191 94
Siemens C55 93
Siemens ME45 87
Samsung SGH R220 82
Samsung SGH N500 79
Nokia 3510 74
Siemens M50 73
Поиск по сайту :
Новые статьи
Сотовые телефоны Новости
Связь :

Разработана первая интегральная микросхема на основе одной углеродной нанотрубки

Разработана первая интегральная микросхема на основе одной углеродной нанотрубки

Разработана первая интегральная микросхема на основе одной углеродной нанотрубкиГруппа исследователей из IBM под руководством Йорга Аппензеллера (Joerg Appenzeller) впервые в мире создала полнофункциональную интегральную микросхему на основе углеродной нанотрубки,
способную работать на терагерцевых частотах, сообщают C-News со ссылкой на NanoTechWeb.

Чип состоит из 5 инверторов, сделанных на основе полевых p- и n-транзисторов. Сам чип представляет собой 5-ступенчатый кольцевой осциллятор на одной длинной нанотрубке длиной 18 мкм. В чипе также присутствует дополнительный логический контур, измеряющий быстродействие осциллятора. Затвор p-транзисторов сделан из палладия, а транзисторов n-типа - из алюминия.

Частота интегральной схемы в 6 раз больше, чем у таких же устройств, собранных на отдельных нанотрубках и связанных между собой. Такой компактный дизайн осциллятора дает возможность значительно уменьшить паразитные емкости. Наноустройство работает на частоте 52 MHz, что в 100 тыс. раз быстрее предыдущих нанотрубочных чипов.

Электрические характеристики углеродных нанотрубок сделали их идеальными кандидатами для использования в микро- и наноэлектронике. Благодаря действию механизма "баллистического электронного транспорта" нанотрубки проводят электрический ток с наименьшим сопротивлением, обладая в тысячу раз большей электропроводностью, чем у меди. Более того, нанотрубки могут выступать как в роли проводников, так и в роли полупроводников.

Год назад компания Infineon Technologies построила работоспособный одиночный нанотранзистор с длиной проводящего канала всего 18 нм. После этого открытия казалось, что такие нанотранзисторы - отличная база для наноэлектронной логики. Но, как доказали ученые из IBM и других научных центров, длинные нанотрубки могут выступать "стержнем" целой интегральной схемы и нести на себе несколько транзисторов сразу.

"Самым нашим существенным достижением является то, что мы смогли использовать современные принципы построения архитектуры чипов, используя в качестве элементов не транзисторы, а нанотрубки и молекулы, - говорит Аппензеллер - наша интегральная построена по типу обычной CMOS-архитектуры, одно из достоинств которой - низкое энергопотребление. Как показала практика исследования цепей из нанотрубок, один из их недостатков - достаточно высокое рабочее напряжение, а CMOS-архитектура позволяет его значительно уменьшить, что делает чип намного экономичнее."

Неуклонная компактизация интегральных схем длится уже 50 лет. Очевидно, что развитие наноэлектроники будет сваязано с сопоставимой по масштабу оптимизацией, аналогичной уменьшению микроэлектронной компонентной базы в 60-е годы минувшего столетия. Возможно, что на основе интегрированных наноэлектронных чипов возникнет совершенно новая элементная база, которая будет отличаться высокой компактностью, низким энергопотреблением и невиданным ранее быстродействием.
Источник Hi-tech Вести
 

 
Copyright ©RIN 2003 - 2004.* connect@rin.ru
Российская Информационна Сеть