Связь и интернет Архив Программирование
Сотовые телефоны
Сотовые телефоны

Новости

Сотовые мобильные телефоныПолифонические мелодии для сотовых
Связь :
Новости
Мобильные технологии
Программы для сотовых
Картинки для сотовых
Новинки
Виды связи
Российские операторы
Сотовые телефоны
Мелодии для сотовых
Права потребителя мобильника
Это интересно!
Телефонные карты
Доска объявлений
Новости связи
Новые статьи

Интернет :
Новости
Новые технологии
Безопасность в интернет
История Интернета
Принцип работы Интернета
Создание сайта
Обучение Интернет
Право и Интернет
Интернет-бизнес
Техника в Интернет
Провайдеры России
Зарубежные провайдеры
Рейтинги почтовых служб
Литература
Словарь терминов
Гостевая
Партнеры
Голосование :
Ваша модель телефона:
Наиболее популярные модели :
Nokia 3310 271
Motorola v50 198
Siemens C45 139
Motorola T191 94
Siemens C55 93
Siemens ME45 87
Samsung SGH R220 82
Samsung SGH N500 79
Nokia 3510 74
Siemens M50 73
Поиск по сайту :
Новые статьи
Сотовые телефоны Новости
Связь :

Ученые изготовят транзисторы с помощью "наноленты"

Ученые изготовят транзисторы с помощью "наноленты"

Ученые изготовят транзисторы с помощью Ученые из Стэнфорда разработали новый способ изготовления транзисторов из углеродных наноструктур, известных под названием "наноленты".

Как утверждается, эти транзисторы являются еще одним шагом на пути к созданию высокопроизводительных микросхем для компьютеров, которые будут работать быстрее и выделять значительно меньше тепла, чем современные кремниевые микросхемы.

Группа ученых впервые смогла создать из углеродных наноструктур полевой транзистор, ключевой элементом микросхем, который может работать при комнатной температуре. Раньше для работы таких приборов требовалось существенно понижать температуру (до температуры жидкого гелия, 4 градуса по шкале Кельвина). Возможность работы при высокой температуре обусловило применение в конструкции транзистора "нанолент" шириной менее 10 нм (в 50 тыс. раз тоньше человеческого волоса). Ранее создание таких тонких лент было невозможно. На схеме показан полевой транзистор на подложке из двуокиси кремния, в котором углеродная "нанолента" соединяет электроды, изготовленные из палладия (S и D).

Интерес к технологиям, которые должны будут заменить используемую сейчас кремниевую технологию, огромен. Это объясняется тем, что эксперты оценивают временной потенциал дальнейшей микроминиатюризации кремниевой электроники в одно десятилетие. Углеродные наноструктуры представляются одним из наиболее вероятных кандидатов на роль материала для микросхем будущего.
Источник Hi-tech Вести
 

 
Copyright ©RIN 2003 - 2004.* connect@rin.ru
Российская Информационна Сеть