Чрезвычайная популярность сменных накопителей на основе чипов флэш-памяти не вызывает сомнения, однако исследователи уже сегодня находятся в поисках достойной замены флэш-памяти в будущем.
Одним из основных альтернативных вариантов является память на основе фазовых переходов (PС RAM - Phase Change RAM). В этом случае используется возможность некоторых материалов находиться в двух состояниях - аморфном и кристаллическом.

Японские ученые из университета Каназавы (Япония) сообщают об изготовлении устройств на основе PС RAM памяти, которые отличаются высокой скоростью переключения - в тысячу и даже в десять тысяч раз быстрее уже созданных PС RAM-устройств. При этом количество циклов записи может достигать 400 тысяч.

По информации от Nikkei Business Daily, ученые создали новый материал на основе сурьмы, селена и теллура. Пока до введения в коммерческое применение подобных устройств еще далеко, но первые шаги в создании будущей замены чипов флэш-памяти уже сделаны.

ferra