Ученые из Университета Райса в штате Техас (США) показали технологию производства RRAM — резистивной памяти с произвольным доступом, — которая даст возможность увеличить объем доступной " оперативки" в смартфонах и планшетниках в десятки и и даже сотни раз. Повествование ведется об одной из разновидностей RRAM, у которой выше плотность и ниже уровень энергопотребления, чем у " обычной" памяти. К тому же к этому, она более компактна.

На данный момент времени выпуском модулей RRAM-памяти занимаются всего несколько организаций. Процесс производства подобных микросхем дорогостоящий и весьма сложный — он требует высоких температур и напряжения для переключения в приводящее состояние.

Ученые из Райса сделали предложение иной подход, позволяющий создавать ячейки RRAM-памяти при комнатной температуре и гораздо более низком напряжении. Он заключается в применении пористого оксида кремния в виде основного диэлектрического материала.

Созданные по такому принципу ячейки более надежны, не требуют расхода энергии для складирования информации, имеют возможность хранить до девяти бит данных на ячейку и обеспечивают более высокую резвость записи/чтения данных (до ста раз быстрее, чем флеш-память). Что самое важное, новая технология облегчает " укладку" слоев RRAM-памяти, Что дает возможность увеличить объем хранимой информации. У одного из прототипов плотность складирования данных настолько высока, Что на микросхеме размером с почтовую марку имеет возможность быть умещен терабайт памяти.