Организации Hewlett-Packard и SanDisk договорились объединить усилия и вместе создать новый тип энергонезависимой памяти, который был бы в тысячу раз быстрее и устойчивее к износу, чем флеш-накопители. Свежие чипы памяти задумываются не только надежными, но также емкими и дешевыми, чтобы вытеснить с рынка динамическую оперативную память с произвольным доступом (DRAM).

Во время сотрудничества партнеры задействуют две технологии, которые они разрабатывали по отдельности: мемристоры HP и так называемую резистивную память с произвольным доступом (RRAM) SanDisk. В обеих применяются материалы, которые изменяют свое электрическое сопротивление в присутствии тока. Инженеры HP посодействуют в созданию новой технологии, а SanDisk — будет производить чипы.

Партнеры уже поведали, что они не желают лицензировать новую технологию другим изготовителям. По непроверенной оценке, она возникнут на рынке через 3– 5 лет.

Разработку RRAM-памяти ведут и другие организации, например Crossbar. А прошлым летом ученые из американского Университета Райса показали технологию производства резистивной памяти, которая дает возможность создавать ячейки RRAM-памяти при комнатной температуре и гораздо более низком напряжении. У одного из прототипов плотность складирования данных была настолько высока, что на микросхеме размером с почтовую марку мог быть умещен терабайт памяти.

Разработка HP и SanDisk будет соперничать с совершенно новым классом энергонезависимой памяти 3D Xpoint, который организации Intel и Micron анонсировали в июле. Их технология обладает таким же достоинством — она в тысячу раз быстрее и долговечнее, чем распространенная сегодня флеш-память NAND. Помимо этого, плотность размещения компонентов новой разработки в десять раз выше, чем у стандарта NAND. Все это приведет к многократному увеличению скорости доступа процессора к информации, повышенной прочности и высоким показателям чтения/записи данных.