Фирма Intel вместе с Micron показали новый тип флеш-памяти, основанный на технологии 3D Nand. Данные микросхемы обладают такой потрясающий плотностью записи, что плашка размером со стандартный SSD будет иметь возможность хранить 10 терабайт данных.

Технология 3D NAND обеспечивает увеличение плотности складирования данных в 3 раза за счет применения вертикальной трехмерной системы ячеек. Чтобы пояснить сущность технологии, приведем пример из градостроительства. Представьте, что стандартная Технология производства чипов памяти — это возведение города, состоящего из одноэтажных домиков, в каждом из которых может жить только одна семья. Такой подход трудится, лишь когда есть достаточно места.

А сейчас представьте, что большое число людей желает жить на ограниченной территории. Чтобы увеличить плотность жителей, на месте одноэтажных домиков можно построить многоэтажки. По настоящему, именно такой " многоэтажной" записью данных и является новая технология.

Так, в модуль размером с пачку жвачки уместится около 3, 5 терабайт памяти. А вот стандартный 2, 5-дюймовый SSD-накопитель будет иметь возможность предложить пользователям более 10 терабайт. Новая технология даст возможность существенно увеличить объем памяти в смартфонах, планшетных компьютерах и ультрабуках. Разработчикам подобных устройств критически важно, чтобы модули имели минимальные габариты. Помимо этого, 3D NAND удешевит накопители в общем. Тестовые партиии новых чипов начали поставлять изготовителям. Кроме Intel и Micron аналогичную память разработала и готова поставлять Toshiba. Полномасштабное производство будет развернуто уже в этом году.