Фирма Samsung приступила к серийному производству первого чипа памяти емкостью 256 гигабайт, основанного на Юнивёрсал Flash Storage 2. 0 (UFS) — новом стандарте складирования данных на месте базирования флеш-памяти для смартфонов и планшетов. Новинка придаст будущим мобильным устройствам рекордную производительность — выше, чем у среднего SSD-накопителя c интерфейсом SATA в ноутбуках и компьютерах.

Резвость чтения микросхемы составит 850 мегабайт в секунду, резвость записи — 250 Мбайт/с., говорится в пресс-релизе. Другими словами, чип Samsung будет иметь возможность считывать данные втрое быстрее, чем самая высокопроизводительная на текущий момент microSD-карта памяти.

В основе разработки корейской организации лежит V-NAND — технология " трехмерной" флеш-памяти, которая отличается особо высокой плотностью записи данных. За счет этого чип Samsung способен выполнять до 45 тыс. операций чтения и до 40 тыс. операций записи в секунду (IOPS) — вдвое быстрее, чем предлагает стандарт UFS 1-го поколения.

Новая UFS-память объемом 256 ГБ будет способна без задержек воспроизводить видео в виде Ultra HD на больших экранах мобильных устройств, а также хранить около 47 фильмов в формате Full HD." помимо этого, с появлением смартфонов следующего поколения, поддерживающих Интерфейс USB 3. 0, пользователи смогут передавать данные между устройствами гораздо быстрее. Интерфейс USB 3. 0 даст возможность отдать 5-гигабайтный эквивалент видеоклипа Full HD (фильм средней продолжительностью 90 минут) за 12 секунд" — заявили в Samsung.

Вполне может быть, что Samsung первой укомплектует памятью 256 ГБ с UFS 2. 0 собственное устройство — к примеру, Galaxy Note 6. Как предполагается, флагманский фаблет нового поколения будет показан этой осенью.