Фирма Samsung представила первые в мире карты памяти на месте базирования стандарта Юнивёрсал Flash Storage (UFS), которые придут на замену microSD. Новая серия съемных накопителей включает варианты объемом 32, 64, 128 и 256 ГБ.

UFS — этой новый стандарт складирования данных на месте базирования флеш-памяти для смартфонов и планшетов. В основе разработки лежит V-NAND (также известна как 3D NAND) — технология " трехмерной" флеш-памяти, которая отличается особо высокой плотностью записи данных.

У стандарта UFS резвость последовательного чтения информации, записанной на карту, достигает 530 мегабайт в секунду — в пять раз выше, чем у microSD. Это значит, что UFS сумеет отдать фильм Full HD объемом 5 ГБ за 10 секунд, а у microSD-карты UHS-1 на текущей уйдет около 50 секунд.

Максимальная резвость записи у новых UFS-карт составляет 170 Мбайт/с — вдвое выше, чем у наиболее высокопроизводительных microSD, имеющихся на рынке (у SanDisk Extreme Pro, например, это показатель равен 100 МБ/с), и в 7– 8 раз выше, чем у непрофессиональных моделей.

Так, по скоростям UFS предположительно сопоставимы с SSD-накопителями. В Samsung заявляют, что свежие карты имеют возможность использоваться где угодно: в фотоаппаратах, 360-градусных и экшн-камерах, а также беспилотных летательных аппаратах. Поддержкой UFS уже обладают смартфоны Galaxy S6 и S6 Edge, однако ни одной совместимой с ними карты на рынке до сих пор нет. Помимо этого, Поддержкой UFS наврняка будет обладать предстоящий фаблет Galaxy Note 7, который Фирма может продемонстрировать 2 августа.

В феврале Samsung приступила к серийному производству первого чипа памяти емкостью 256 гигабайт, основанного UFS 2. 0. Новинка придаст будущим мобильным устройствам рекордную производительность — выше, чем у среднего SSD-накопителя c интерфейсом SATA в ноутбуках и компьютерах.