NEC Corporation также представила новинку "из области транзисторостроения".

Была анонсирована совместная разработка для производства высокопроизводительных SOC-устройств на базе элементов, произведенных по 65-нм и 45-нм нормам. Разработанная технология позволяет производить металлизированные транзисторы с большой диэлектрической постоянной (metal/high-k).

Результаты исследований достигнуты благодаря:

использованию высоконадежного пленочного диэлектрика HfSiON (Hf) и никель-силицидного затвора
устранению влияния фазы кристаллизации на Ni-FUSI затворе
использованию комбинации NiSi (n-FET) и Ni3Si (p-FET) для надежной работы
контролю высоты и ширины затвора
До сегодня существовало несколько проблем, связанных с производством транзисторов подобного рода (metal/high-k), они имели невысокую производительность при длительной работе из-за высокой утечки через ультратонкий стек затвора. Новая технология производства NEC решает эту основную проблему. К тому же, себестоимость производства транзисторов по новой технологии обещает быть ниже. Это позволит создавать портативную потребительскую электронику с очень низким энергопотреблением.

Новая технология производства транзисторов была представлена компанией NEC на прошедшем в США симпозиуме "2006 symposium VLSI".