IBM объявила о создании первых рабочих образцов процессоров с транзисторами размером 7 нанометров. Хотя в продажу подобные чипы поступят не ранее, чем через пару лет, достижение корпорации и ее партнеров является важнейшим прорывом сразу по нескольким причинам. Технология даст возможность размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 20 млрд транзисторов и применять их во множестве разных устройств: от смартфонов до космических судов.
Вспомним, сейчас самые прогрессивные из доступных на рынке микропроцессоров производятся по 14-нанометровому техпроцессу. Samsung объявила, что разработала технологию производства чипов с 10-нанометровыми транзисторами, однако перед началом производства пройдет еще немало времени. Роадмап Intel сейчас подразумевает выпуск 10-нанометровых чипов лишь в 2017-м году.
Технологии для производства 7-нанометровых процессоров пришлось собирать буквально с миру по нитке. IBM заручилась поддержкой GlobalFoundries, Samsung, SUNY, STMicroelectronics а также ряда поставщиков специализированного оборудования. В первый раз каналы транзисторов применяют не чистый кремний, а комбинацию кремния и германия. Помимо этого, в первый раз продемонстрирована в потенциале коммерциализируемая технология производства процессоров с использованием фотолитографии в глубоком ультрафиолете (extreme ultraviolet lithography, EUV).
Само собой, как и во многих иных новых процессорах, использовано вертикальное размещение затвора транзистора (FinFET), позволяющее разместить на чипе той же площади существенно больше транзисторов. Подобную технологию, к примеру, применяют новейшие модели процессоров Exynos во флагманских смартфонах Samsung. Чип A9, на котором будут трудиться iPhone следующего поколения, тоже использует FinFET-транзисторы, правда, немногим более крупные - 16-нанометровые.
По заверениям уполномоченных IBM, инженерам корпорации получилось достичь увеличения плотности размещения элементов по отношению к самому передовому сегодня 10-нм технологическому процессу чуть ли не на 50%. Шаг между элементами на таком чипе составляет всего 430 нм. По сопоставлению с 10-нанометровыми чипами предполагается 50-процентный выигрыш не только в производительности, но и в энергопотреблении. Это Это означает, что нынешние прогрессивные 14-нанометровые чипы будут казаться совсем близко с 7-нанометровым устаревшими, медленными и горячими “ динозаврами”.
