Связь и интернет Архив Программирование
Сотовые телефоны
Сотовые телефоны

Новости

Сотовые мобильные телефоныПолифонические мелодии для сотовых
Связь :
Новости
Мобильные технологии
Программы для сотовых
Картинки для сотовых
Новинки
Виды связи
Российские операторы
Сотовые телефоны
Мелодии для сотовых
Права потребителя мобильника
Это интересно!
Телефонные карты
Доска объявлений
Новости связи
Новые статьи

Интернет :
Новости
Новые технологии
Безопасность в интернет
История Интернета
Принцип работы Интернета
Создание сайта
Обучение Интернет
Право и Интернет
Интернет-бизнес
Техника в Интернет
Провайдеры России
Зарубежные провайдеры
Рейтинги почтовых служб
Литература
Словарь терминов
Гостевая
Партнеры
Голосование :
Ваша модель телефона:
Наиболее популярные модели :
Nokia 3310 271
Motorola v50 198
Siemens C45 139
Motorola T191 94
Siemens C55 93
Siemens ME45 87
Samsung SGH R220 82
Samsung SGH N500 79
Nokia 3510 74
Siemens M50 73
Поиск по сайту :
Новые статьи
Сотовые телефоны Новости
Связь :

Анонсирован наиболее емкий в мире жесткий диск

Анонсирован наиболее емкий в мире жесткий диск

Анонсирован наиболее емкий в мире жесткий диск

Пятнадцать, 36 терабайта, такая емкость жесткого диска-рекордсмена, представленного Samsung на симпозиуме Flash Memory Summit, проходящей в Калифорнии. Это мировой рекорд - по крайней мере, для накопителей, выполненных в стандартном 2, 5-дюймовом форм-факторе.

Что еще удивительнее, предназначенная для корпоративного рынка с модельным индексом PM1633a использует для складирования данных не металлические пластины, более емкие и дешевые, но медленные, а быструю флеш-память NAND. Сейчас самые емкие накопители, выпускаемые главными конкурентами Samsung на этом рынке, Seagate и Western Digital, не превышают емкости в 10 терабайт.

Добиться беспрецедентной плотности “ упаковки” памяти Samsung позволили разработанные корейской корпорацией свежие 256-гигабитные (32-гигабайтные) чипы NAND. На каждом из них может храниться в два раза больше данных, чем на 128-гигабитных модулях, запущенных различными производителями в массовое производство в прошедшем году.

В новых чипах NAND Samsung получилось уместить 48 слоев “ трехмерной” памяти V-NAND с трехбитными ячейками. В 2013-м году производственные процессы позволяли создавать лишь 24 подобных слоя, а в 2014-м - 36.“ Трехмерные” NAND-чипы концептуально аналогичны “ трехмерным” транзисторам в новейших процессорах, изготавливаемых по технологии FinFET. В них инженеры отошли от плоскостного размещения кремниевых элементов, “ поставив” их на бок, что дает возможность более результативно применять доступную площадь кристалла.

Источник Hi-tech Вести
 

 
Copyright ©RIN 2003 - 2004.* connect@rin.ru
Российская Информационна Сеть