Компания Samsung почти мгновенно отреагировала на информацию, опубликованную источниками о том, что производство ею 8-Гбит компонентов флэш-памяти типа NAND откладывается.

Своим официальным релизом компания сообщила, что массовое производство таких чипов памяти с использованием 60-нм технологического процесса стартовало.

Такая память будет иметь высокую плотность и использовать проверенную технологию 2-битных многоуровневых ячеек (2-bit multi-level-cell, MLC).

Это поколение NAND станет уже пятым в рамках концепции Samsung New Memory Growth Model, подразумевающей удвоение плотности производимых чипов каждые 12 месяцев.

На базе 8-Гбит чипов планируется выпуск 4-Гб модулей, которые будут использоваться в мобильных телефонах, плеерах, игровых консолях и т.д., появление которых на рынке планируется на третий квартал этого года.

В дальнейшем Samsung планирует использование 60-нм 8-Гбит чипов в производстве памяти moviNAND, объединяющей в себе собственно микросхему памяти и контроллер NAND.

Samsung планирует, что внедрение более тонкой технологии позволит повысить на 25% отдачу от производственных мощностей, ныне использующих 70-нм техпроцесс.