Сотрудники компании IBM разработали беговую память, которая позволит увеличить емкость памяти в портативных электронных устройствах в сотни раз, сообщает BBC News.

Беговая память (racetrack memory), по словам инженеров, хранит данные в границах магнитных доменов между магнитными областями в нанопроводниках. Свое название технология получила благодаря тому, что по мере чтения или записи данные памяти очень быстро вращаются вокруг проводника.

Состояние границ магнитных доменов можно считать при помощи чрезвычайно слабых магнитных полей, создаваемых спинами электронов. Именно поэтому беговая память потребляет гораздо меньше энергии и выделяет меньше тепла, чем флеш-память.

На данный момент ученые определили физику процесса и выясняют необходимые для беговой памяти материалы, чтобы создать ее прототип.