Samsung начинает выпуск скоростной 64 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR2
Менее года прошло с того момента, как Samsung и Toshiba объединили усилия для разработки более быстрой памяти типа NAND. И вот теперь южнокорейский электронный гигант официально объявил о начале первого в индустрии производства высокопроизводительных чипов NAND памяти с многоуровневыми ячейками, емкость которых составляет 64 Гбит (8 ГБ).
Причем, в этих решениях используется интерфейс Toggle DDR2, а сами 64 Гбит чипы NAND изготовлены по технологическим нормам 20 нм класса. Все это обеспечивает новой памяти пропускную способность в 400 Мбит/с, что является просто отличным результатом. Для сравнения, у широко распространенной сегодня SDR NAND аналогичный показатель составляет 40 Мбит/с, а у Toggle DDR1 памяти - 133 Мбит/с.
Таким образом, 64 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR2 вполне подходит для применения в высококлассных смартфонах, планшетных компьютерах и твердотельных накопителях. Кроме того, по информации Samsung, данная память дает выигрыш в продуктивности в 50 процентов по сравнению с 32 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR 1.0, изготовленной согласно нормам того же 20 нм класса.
Менее года прошло с того момента, как Samsung и Toshiba объединили усилия для разработки более быстрой памяти типа NAND. И вот теперь южнокорейский электронный гигант официально объявил о начале первого в индустрии производства высокопроизводительных чипов NAND памяти с многоуровневыми ячейками, емкость которых составляет 64 Гбит (8 ГБ).