Связь и интернет Архив Программирование
Интернет
Интернет

Samsung начинает выпуск скоростной 64 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR2

Сотовые мобильные телефоныПолифонические мелодии для сотовых
Связь :
Новости
Мобильные технологии
Программы для сотовых
Картинки для сотовых
Новинки
Виды связи
Российские операторы
Сотовые телефоны
Мелодии для сотовых
Права потребителя мобильника
Это интересно!
Телефонные карты
Доска объявлений
Новости связи
Новые статьи

Интернет :
Новости
Новые технологии
Безопасность в интернет
История Интернета
Принцип работы Интернета
Создание сайта
Обучение Интернет
Право и Интернет
Интернет-бизнес
Техника в Интернет
Провайдеры России
Зарубежные провайдеры
Рейтинги почтовых служб
Литература
Словарь терминов
Гостевая
Партнеры
Голосование :
Ваша модель телефона:
Наиболее популярные модели :
Nokia 3310 271
Motorola v50 198
Siemens C45 139
Motorola T191 94
Siemens C55 93
Siemens ME45 87
Samsung SGH R220 82
Samsung SGH N500 79
Nokia 3510 74
Siemens M50 73
Поиск по сайту :
Новые статьи
Сотовые телефоны Новости
Интернет : Новые технологии ->

Samsung начинает выпуск скоростной 64 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR2

Менее года прошло с того момента, как Samsung и Toshiba объединили усилия для разработки более быстрой памяти типа NAND. И вот теперь южнокорейский электронный гигант официально объявил о начале первого в индустрии производства высокопроизводительных чипов NAND памяти с многоуровневыми ячейками, емкость которых составляет 64 Гбит (8 ГБ).

Причем, в этих решениях используется интерфейс Toggle DDR2, а сами 64 Гбит чипы NAND изготовлены по технологическим нормам 20 нм класса. Все это обеспечивает новой памяти пропускную способность в 400 Мбит/с, что является просто отличным результатом. Для сравнения, у широко распространенной сегодня SDR NAND аналогичный показатель составляет 40 Мбит/с, а у Toggle DDR1 памяти - 133 Мбит/с.

Таким образом, 64 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR2 вполне подходит для применения в высококлассных смартфонах, планшетных компьютерах и твердотельных накопителях. Кроме того, по информации Samsung, данная память дает выигрыш в продуктивности в 50 процентов по сравнению с 32 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR 1.0, изготовленной согласно нормам того же 20 нм класса.

Источник: Samsung

Резь при мочеиспускании
Основной причиной появления рези при мочеиспускании являются воспалительные процессы, которые распространяются на мочевой пузырь, почки, уретру и внутренние половые органы
Медискрин - эффективная экспресс-диагностика
Каждый человек старается уделять своему здоровью хоть какое-то внимание. Но из-за занятости на работе, семейных обязанностей или по каким либо другим причинам на это практически не остается времени. Решением этой проблемы стала Медискрин диагностика.


Комментарии к статье

 
Copyright ©RIN 2003 - 2004.* connect@rin.ru
Российская Информационна Сеть