Samsung создает мобильную DRAM с пропускной способностью в 12,8 ГБ/с
Корпорация Samsung Electronics официально объявила о разработке чипов мобильной DRAM памяти плотностью 1 Гбит (128 МБ) с широким I/O интерфейсом. Данные чипы созданы по нормам технологии 50 нм класса и обеспечивают пропускную способность в 12,8 ГБ/с, что в восемь раз превышает показатель стандартной мобильной DRAM (до 1,6 ГБ/с) и вчетверо лучше характеристик памяти обычной LPDDR2 DRAM (3,2 ГБ/с).
Чтобы достичь столь выдающейся пропускной способности, специалистам Samsung пришлось значительно увеличить число контактов для обеспечения ввода и вывода данных. Таким образом, число контактов в новой памяти достигает 512 штук, в то время как в предыдущем поколении мобильной DRAM их количество составляет максимум 32.
Помимо высокой пропускной способности, новая мобильная DRAM память от Samsung обладает хорошей энергоэффективностью и потребляет примерно на 87 процентов меньше энергии по сравнению с присутствующими сейчас на рынке аналогами (что должно положительно сказаться на времени автономной работы портативной электроники). По словам южнокорейской компании, новая память является идеальным решением для планшетов и смартфонов, поэтому она планирует продолжать работу в этом направлении. В частности, в 2013 году планируется представить чипы DRAM с широким I/O интерфейсом и плотностью в 4 Гбит, изготовленные по технологии 20 нм класса.
Цель обучения практикам электробезопасности - дать электротехнические знания и подготовить специально обученный персонал с дальнейшим присвоением квалификации - группа по электробезопасности
Корпорация Samsung Electronics официально объявила о разработке чипов мобильной DRAM памяти плотностью 1 Гбит (128 МБ) с широким I/O интерфейсом. Данные чипы созданы по нормам технологии 50 нм класса и обеспечивают пропускную способность в 12,8 ГБ/с, что в восемь раз превышает показатель стандартной мобильной DRAM (до 1,6 ГБ/с) и вчетверо лучше характеристик памяти обычной LPDDR2 DRAM (3,2 ГБ/с).