Связь и интернет Архив Программирование
Интернет
Интернет

Samsung создает мобильную DRAM с пропускной способностью в 12,8 ГБ/с

Сотовые мобильные телефоныПолифонические мелодии для сотовых
Связь :
Новости
Мобильные технологии
Программы для сотовых
Картинки для сотовых
Новинки
Виды связи
Российские операторы
Сотовые телефоны
Мелодии для сотовых
Права потребителя мобильника
Это интересно!
Телефонные карты
Доска объявлений
Новости связи
Новые статьи

Интернет :
Новости
Новые технологии
Безопасность в интернет
История Интернета
Принцип работы Интернета
Создание сайта
Обучение Интернет
Право и Интернет
Интернет-бизнес
Техника в Интернет
Провайдеры России
Зарубежные провайдеры
Рейтинги почтовых служб
Литература
Словарь терминов
Гостевая
Партнеры
Голосование :
Ваша модель телефона:
Наиболее популярные модели :
Nokia 3310 271
Motorola v50 198
Siemens C45 139
Motorola T191 94
Siemens C55 93
Siemens ME45 87
Samsung SGH R220 82
Samsung SGH N500 79
Nokia 3510 74
Siemens M50 73
Поиск по сайту :
Новые статьи
Сотовые телефоны Новости
Интернет : Новые технологии ->

Samsung создает мобильную DRAM с пропускной способностью в 12,8 ГБ/с

Корпорация Samsung Electronics официально объявила о разработке чипов мобильной DRAM памяти плотностью 1 Гбит (128 МБ) с широким I/O интерфейсом. Данные чипы созданы по нормам технологии 50 нм класса и обеспечивают пропускную способность в 12,8 ГБ/с, что в восемь раз превышает показатель стандартной мобильной DRAM (до 1,6 ГБ/с) и вчетверо лучше характеристик памяти обычной LPDDR2 DRAM (3,2 ГБ/с).

Чтобы достичь столь выдающейся пропускной способности, специалистам Samsung пришлось значительно увеличить число контактов для обеспечения ввода и вывода данных. Таким образом, число контактов в новой памяти достигает 512 штук, в то время как в предыдущем поколении мобильной DRAM их количество составляет максимум 32.

Помимо высокой пропускной способности, новая мобильная DRAM память от Samsung обладает хорошей энергоэффективностью и потребляет примерно на 87 процентов меньше энергии по сравнению с присутствующими сейчас на рынке аналогами (что должно положительно сказаться на времени автономной работы портативной электроники). По словам южнокорейской компании, новая память является идеальным решением для планшетов и смартфонов, поэтому она планирует продолжать работу в этом направлении. В частности, в 2013 году планируется представить чипы DRAM с широким I/O интерфейсом и плотностью в 4 Гбит, изготовленные по технологии 20 нм класса.

Источник: TechConnect Magazine
Фантазию можно развить с помощью пластилина Фантазию можно развить с помощью пластилина
Пластилин - прекрасное средство для развития в ребенке творческих наклонностей
Самыми дружелюбные страны к русским туристам Самыми дружелюбные страны к русским туристам
Как показали результаты исследования тревел-портала Travelzoo, такие страны как Италия, Мексика и Австралия были признаны государствами с наиболее дружелюбным населением


Комментарии к статье

 
Copyright ©RIN 2003 - 2004.* connect@rin.ru
Российская Информационна Сеть